Número de Producto del Fabricante:
ISZ0602NLSATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
ISZ0602NLSATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 12A (Ta), 64A (Tc) 2.1W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26
Inventario:
9859 Pcs Nuevos Originales En Stock
12965938
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ENVIAR
ISZ0602NLSATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta), 64A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 29µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1860 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSDSON-8-26
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
ISZ0602N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-ISZ0602NLSATMA1TR
SP005430392
448-ISZ0602NLSATMA1DKR
448-ISZ0602NLSATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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