Número de Producto del Fabricante:
ISZ0804NLSATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
ISZ0804NLSATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 11A (Ta), 58A (Tc) 2.1W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26
Inventario:
7025 Pcs Nuevos Originales En Stock
12965941
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ENVIAR
ISZ0804NLSATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Ta), 58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 28µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSDSON-8-26
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
ISZ0804N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-ISZ0804NLSATMA1DKR
SP005430388
448-ISZ0804NLSATMA1CT
448-ISZ0804NLSATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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