ISZ0803NLSATMA1
Número de Producto del Fabricante:

ISZ0803NLSATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

ISZ0803NLSATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 7.7A (Ta), 37A (Tc) 2.1W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26

Inventario:

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ISZ0803NLSATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.7A (Ta), 37A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 18µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSDSON-8-26
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
ISZ0803N

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
ISZ0803NLSATMA1
Hoja de datos HTML
ISZ0803NLSATMA1-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
SP005430493
448-ISZ0803NLSATMA1TR
448-ISZ0803NLSATMA1DKR
448-ISZ0803NLSATMA1CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
ISZ0804NLSATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
7025
NÚMERO DE PIEZA
ISZ0804NLSATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.49
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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