Número de Producto del Fabricante:
ISC0803NLSATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
ISC0803NLSATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 8.8A/37A 8TDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 8.8A (Ta), 37A (Tc) 2.5W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Inventario:
2433 Pcs Nuevos Originales En Stock
12965939
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ENVIAR
ISC0803NLSATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.8A (Ta), 37A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 18µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
ISC0803N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-ISC0803NLSATMA1DKR
448-ISC0803NLSATMA1TR
SP005430489
448-ISC0803NLSATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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