Número de Producto del Fabricante:
TP65H035WS
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
Número de pieza:
TP65H035WS-DG
Descripción:
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
863 Pcs Nuevos Originales En Stock
13446889
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TP65H035WS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
41mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.8V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
TP65H035
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TPH3208PS
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
RH6P030BG
TRANS MOSFET N-CH SMD
