Número de Producto del Fabricante:
TP65H050WS
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
Número de pieza:
TP65H050WS-DG
Descripción:
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
327 Pcs Nuevos Originales En Stock
13447512
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ENVIAR
TP65H050WS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
34A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.8V @ 700µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
119W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
TP65H050
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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