Número de Producto del Fabricante:
NVBG020N120SC1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVBG020N120SC1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 8.6A (Ta), 98A (Tc) 3.7W (Ta), 468W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventario:
1578 Pcs Nuevos Originales En Stock
13514797
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ENVIAR
NVBG020N120SC1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.6A (Ta), 98A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
28mOhm @ 60A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 20mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
220 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2943 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.7W (Ta), 468W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
NVBG020
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
488-NVBG020N120SC1CT
488-NVBG020N120SC1DKR
488-NVBG020N120SC1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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