Número de Producto del Fabricante:
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TJ60S04M3L(T6L1,NQ-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Descripción Detallada:
P-Channel 40 V 60A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventario:
1612 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889380
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ENVIAR
TJ60S04M3L(T6L1,NQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6510 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK+
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TJ60S04
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
TJ60S04M3L(T6L1NQ
264-TJ60S04M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ60S04M3L(T6L1,NQCT
264-TJ60S04M3L(T6L1,NQTR
TJ60S04M3L(T6L1NQ-DG
TJ60S04M3LT6L1NQ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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