Número de Producto del Fabricante:
SSM6K411TU(TE85L,F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6K411TU(TE85L,F-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 10A UF6
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
Inventario:
12889385
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ENVIAR
SSM6K411TU(TE85L,F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
U-MOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
710 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
UF6
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Número de producto base
SSM6K411
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM6K411TU(TE85LFCT
SSM6K411TU(TE85LFTR
SSM6K411TU(TE85LFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RF4E110GNTR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
6586
NÚMERO DE PIEZA
RF4E110GNTR-DG
PRECIO UNITARIO
0.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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