Número de Producto del Fabricante:
SSM3J338R,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J338R,LF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Inventario:
412262 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889386
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SSM3J338R,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVII
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 8V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17.6mOhm @ 6A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23F
Paquete / Caja
SOT-23-3 Flat Leads
Número de producto base
SSM3J338
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM3J338R,LF(T
SSM3J338RLFTR
SSM3J338R,LF(B
SSM3J338RLFDKR
SSM3J338RLFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
2SK3662(F)
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
SSM3H137TU,LF
MOSFET N-CH 34V 2A UFM
TK30S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
