Número de Producto del Fabricante:
SSM6N815R,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6N815R,LF-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Descripción Detallada:
Mosfet Array 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Inventario:
1051 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889329
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ENVIAR
SSM6N815R,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate, 4V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
103mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
290pF @ 15V
Potencia - Máx.
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP-F
Número de producto base
SSM6N815
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM6N815RLFTR
SSM6N815RLFCT
SSM6N815R,LF(B
SSM6N815R,LF(T
SSM6N815RLF
SSM6N815RLF(B
SSM6N815RLFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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