Número de Producto del Fabricante:
SSM6N35AFE,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6N35AFE,LF-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 250mA (Ta) 250mW Surface Mount ES6
Inventario:
87942 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889399
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ENVIAR
SSM6N35AFE,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
250mA (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.34nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
36pF @ 10V
Potencia - Máx.
250mW
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
ES6
Número de producto base
SSM6N35
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SSM6N35AFE,LF(B
SSM6N35AFELF(B
SSM6N35AFELF
SSM6N35AFELF-DG
SSM6N35AFELFTR
SSM6N35AFELFCT
SSM6N35AFE,LF(T
SSM6N35AFELFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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