Número de Producto del Fabricante:
SSM6N357R,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6N357R,LF-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 650mA (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Inventario:
4400 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889388
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ENVIAR
SSM6N357R,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
650mA (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
60pF @ 12V
Potencia - Máx.
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP-F
Número de producto base
SSM6N357
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM6N357RLFCT
SSM6N357RLFTR
SSM6N357R,LF(B
SSM6N357RLFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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