Número de Producto del Fabricante:
SSM6N7002BFE,LM
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6N7002BFE,LM-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 200mA 150mW Surface Mount ES6
Inventario:
41588 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889431
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ENVIAR
SSM6N7002BFE,LM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.1Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
17pF @ 25V
Potencia - Máx.
150mW
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
ES6
Número de producto base
SSM6N7002
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SSM6N7002BFE,LM(B
SSM6N7002BFE,LM(T
SSM6N7002BFELMDKR
SSM6N7002BFELMTR
SSM6N7002BFELMCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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