Número de Producto del Fabricante:
IPD60R3K3C6
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD60R3K3C6-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12804769
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPD60R3K3C6 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ C6
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 40µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
93 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
18.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP000799130
IPD60R3K3C6DKR
IPD60R3K3C6BTMA1
IPD60R3K3C6TR
IPD60R3K3C6CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STD2N62K3
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
2192
NÚMERO DE PIEZA
STD2N62K3-DG
PRECIO UNITARIO
0.54
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPD60R3K3C6ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
4490
NÚMERO DE PIEZA
IPD60R3K3C6ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.22
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
SIHD2N80E-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1
NÚMERO DE PIEZA
SIHD2N80E-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.48
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFR2405TRLPBF
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
IPB60R600CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A D2PAK
IRF7853PBF
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
