Número de Producto del Fabricante:
IRF6619
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6619-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventario:
13859 Pcs Nuevos Originales En Stock
12804774
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ENVIAR
IRF6619 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Ta), 150A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.45V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
57 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5040 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MX
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MX
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,800
Otros nombres
SP001526848
IRF6619CT
IRF6619TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF6619TR1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
7158
NÚMERO DE PIEZA
IRF6619TR1-DG
PRECIO UNITARIO
1.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
IRF6619TR1PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2000
NÚMERO DE PIEZA
IRF6619TR1PBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.23
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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