SIHD2N80E-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIHD2N80E-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIHD2N80E-GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

1 Pcs Nuevos Originales En Stock
12786126
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SIHD2N80E-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.75Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
315 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SIHD2

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIHD2N80E-GE3CT
SIHD2N80E-GE3TRINACTIVE
SIHD2N80E-GE3DKR
SIHD2N80E-GE3CT-DG
SIHD2N80E-GE3DKR-DG
SIHD2N80E-GE3TR-DG
SIHD2N80E-GE3DKRINACTIVE
SIHD2N80E-GE3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
STD2N62K3
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
2192
NÚMERO DE PIEZA
STD2N62K3-DG
PRECIO UNITARIO
0.54
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SPD02N80C3ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
8940
NÚMERO DE PIEZA
SPD02N80C3ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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