BSC091N03MSCGATMA1
Número de Producto del Fabricante:

BSC091N03MSCGATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

BSC091N03MSCGATMA1-DG

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6

Inventario:

39335 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946659
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BSC091N03MSCGATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Bulk
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta), 44A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.1mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-6
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
BSC091N03MSCGATMA1 Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
1,094
Otros nombres
INFINFBSC091N03MSCGATMA1
2156-BSC091N03MSCGATMA1

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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