CSD18503KCS
Número de Producto del Fabricante:

CSD18503KCS

Product Overview

Fabricante:

National Semiconductor

Número de pieza:

CSD18503KCS-DG

Descripción:

CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

740 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946668
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CSD18503KCS Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3150 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
188W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
CSD18503KCS Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
362
Otros nombres
2156-CSD18503KCS
TEXNSCCSD18503KCS

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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