FDMS0355S
Número de Producto del Fabricante:

FDMS0355S

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDMS0355S-DG

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56

Inventario:

6000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946670
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FDMS0355S Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Ta), 22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1815 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6), Power56
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDMS0355S Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
1,110
Otros nombres
FAIFSCFDMS0355S
2156-FDMS0355S

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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