Número de Producto del Fabricante:
AIMBG120R060M1XTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
AIMBG120R060M1XTMA1-DG
Descripción:
SIC_DISCRETE
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 38A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Inventario:
12991430
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ENVIAR
AIMBG120R060M1XTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
38A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V, 20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
75mOhm @ 13A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
5.1V @ 4.3mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+23V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
880 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
202W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7-12
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
AIMBG120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-AIMBG120R060M1XTMA1CT
448-AIMBG120R060M1XTMA1TR
448-AIMBG120R060M1XTMA1DKR
SP005577229
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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