R6077VNZC17
Número de Producto del Fabricante:

R6077VNZC17

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

Número de pieza:

R6077VNZC17-DG

Descripción:

600V 29A TO-3PF, PRESTOMOS WITH
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventario:

420 Pcs Nuevos Originales En Stock
12991434
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

R6077VNZC17 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
29A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V, 15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
51mOhm @ 23A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
6.5V @ 1.9mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5200 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
113W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PF
Paquete / Caja
TO-3P-3 Full Pack
Número de producto base
R6077

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
846-R6077VNZC17

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
utd-semiconductor

1N60G

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS

utd-semiconductor

SI2304A

SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R

utd-semiconductor

1N65G

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET

utd-semiconductor

1N65L

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET