1N60G
Número de Producto del Fabricante:

1N60G

Product Overview

Fabricante:

UMW

Número de pieza:

1N60G-DG

Descripción:

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 1A (Tj) Surface Mount SOT-223

Inventario:

2420 Pcs Nuevos Originales En Stock
12991435
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1N60G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
UMW
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
UMW
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
4518-1N60GCT
4518-1N60GTR
4518-1N60GDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificación DIGI
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