Número de Producto del Fabricante:
GT52N10D5
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
GT52N10D5-DG
Descripción:
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 71A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5.2x5.86)
Inventario:
14080 Pcs Nuevos Originales En Stock
12997597
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ENVIAR
GT52N10D5 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SGT
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
71A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2626 pF @ 50 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DFN (5.2x5.86)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
3141-GT52N10D5DKR
3141-GT52N10D5TR
3141-GT52N10D5CT
4822-GT52N10D5TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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