Número de Producto del Fabricante:
GT025N06AM
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
GT025N06AM-DG
Descripción:
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 170A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventario:
791 Pcs Nuevos Originales En Stock
12997602
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ENVIAR
GT025N06AM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SGT
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
170A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5119 pF @ 30 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
215W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
4822-GT025N06AMTR
3141-GT025N06AMDKR
3141-GT025N06AMCT
3141-GT025N06AMTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
GT025N06AM
FABRICANTE
Goford Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
8000
NÚMERO DE PIEZA
GT025N06AM-DG
PRECIO UNITARIO
0.66
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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