Número de Producto del Fabricante:
GT100N12K
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
GT100N12K-DG
Descripción:
N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 65A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
2500 Pcs Nuevos Originales En Stock
12997601
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ENVIAR
GT100N12K Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
65A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2911 pF @ 60 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
3141-GT100N12KTR
3141-GT100N12KCT
3141-GT100N12KDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
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