Número de Producto del Fabricante:
G2K8P15S
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G2K8P15S-DG
Descripción:
P-150V,-2.2A,RD(MAX)<310M@-10V,V
Descripción Detallada:
P-Channel 150 V 2.2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventario:
3883 Pcs Nuevos Originales En Stock
12993025
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ENVIAR
G2K8P15S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
310mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
966 pF @ 75 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
3141-G2K8P15SCT
3141-G2K8P15STR
3141-G2K8P15SDKR
4822-G2K8P15STR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
G2K8P15S
FABRICANTE
Goford Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
28000
NÚMERO DE PIEZA
G2K8P15S-DG
PRECIO UNITARIO
0.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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