Número de Producto del Fabricante:
G1K3N10G
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G1K3N10G-DG
Descripción:
N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 5A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-89
Inventario:
778 Pcs Nuevos Originales En Stock
12993027
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ENVIAR
G1K3N10G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
130mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
644 pF @ 50 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-89
Paquete / Caja
TO-243AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
3141-G1K3N10GTR
4822-G1K3N10GTR
3141-G1K3N10GCT
3141-G1K3N10GDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
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