Número de Producto del Fabricante:
G1K3N10G
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G1K3N10G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 5A TO-89
Descripción Detallada:
N-Channel 5A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-89
Inventario:
12993028
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
G1K3N10G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
130mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-89
Paquete / Caja
TO-243AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,600
Otros nombres
4822-G1K3N10GTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
Productos relacionados
G220P02D2
MOSFET P-CH 20V 8A DFN2*2-6L
DMTH47M2LFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
PSMN1R8-80SSFJ
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
