G160N04K
Número de Producto del Fabricante:

G160N04K

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

Número de pieza:

G160N04K-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 25A TO-252
Descripción Detallada:
N-Channel 25A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventario:

13002636
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

G160N04K Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
15mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
4822-G160N04KTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
nexperia

PMPB12R5UPEX

PMPB12R5UPE/SOT1220-2/DFN2020M

goford-semiconductor

GC041N65QF

MOSFET N-CH 650V 70A TO-247

goford-semiconductor

GT100N04D3

N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5

goford-semiconductor

G900P15M

P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH