Número de Producto del Fabricante:
GT100N04D3
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
GT100N04D3-DG
Descripción:
N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 13A (Tc) 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
Inventario:
4709 Pcs Nuevos Originales En Stock
13002658
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
GT100N04D3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SGT
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
642 pF @ 20 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
23W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DFN (3.15x3.05)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
4822-GT100N04D3TR
3141-GT100N04D3CT
3141-GT100N04D3DKR
3141-GT100N04D3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
Productos relacionados
G900P15M
P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
EPC7003AC
GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
DMN2710UFB-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
