Número de Producto del Fabricante:
GC041N65QF
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
GC041N65QF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 70A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
30 Pcs Nuevos Originales En Stock
13002657
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ENVIAR
GC041N65QF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
41mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7650 pF @ 380 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
3141-GC041N65QF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
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