FDMS7672
Número de Producto del Fabricante:

FDMS7672

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDMS7672-DG

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount Power56

Inventario:

2000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946438
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDMS7672 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Ta), 28A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2960 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Power56
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDMS7672 Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
575
Otros nombres
FAIFSCFDMS7672
2156-FDMS7672

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Productos relacionados
fairchild-semiconductor

FQPF22N30

MOSFET N-CH 300V 12A TO220F

international-rectifier

IRF6722MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT

fairchild-semiconductor

FQPF9P25YDTU

MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3

fairchild-semiconductor

FCU850N80Z

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR