Número de Producto del Fabricante:
FCU850N80Z
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FCU850N80Z-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
1000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946447
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ENVIAR
FCU850N80Z Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
SuperFET® II
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 600µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1315 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
257
Otros nombres
ONSONSFCU850N80Z
2156-FCU850N80Z
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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