Número de Producto del Fabricante:
FQPF9P25YDTU
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQPF9P25YDTU-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
Descripción Detallada:
P-Channel 250 V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Inventario:
705 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946443
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQPF9P25YDTU Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
620mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3 (Y-Forming)
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
352
Otros nombres
ONSFSCFQPF9P25YDTU
2156-FQPF9P25YDTU
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
FCU850N80Z
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
AUIRF1324STRL
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
FDZ661PZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
