CP802-CWDM3011P-CT
Número de Producto del Fabricante:

CP802-CWDM3011P-CT

Product Overview

Fabricante:

Central Semiconductor Corp

Número de pieza:

CP802-CWDM3011P-CT-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 30V 11A DIE
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 11A (Ta) Surface Mount Die

Inventario:

12945931
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

CP802-CWDM3011P-CT Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Central Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3100 pF @ 8 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Paquete / Caja
Die
Número de producto base
CP802

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
100
Otros nombres
1514-CP802-CWDM3011P-CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificación DIGI
Productos relacionados
microchip-technology

MSC080SMA120JS15

MOSFET SIC 1200V 80 MOHM 15A SOT

onsemi

NVMFS5C404NWFT1G-K

MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN

infineon-technologies

IAUZ30N06S5L140ATMA1

MOSFET N-CH 60V 30A TSDSON-8-32

infineon-technologies

IMBG120R140M1HXTMA1

SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263