Número de Producto del Fabricante:
IAUZ30N06S5L140ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IAUZ30N06S5L140ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 30A TSDSON-8-32
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 30A (Tj) 33W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-32
Inventario:
24655 Pcs Nuevos Originales En Stock
12945944
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ENVIAR
IAUZ30N06S5L140ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tj)
rds activados (máx.) @ id, vgs
14mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 10µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
888 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSDSON-8-32
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IAUZ30
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-IAUZ30N06S5L140ATMA1CT
SP003244402
448-IAUZ30N06S5L140ATMA1TR
448-IAUZ30N06S5L140ATMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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