Número de Producto del Fabricante:
IMBG120R140M1HXTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IMBG120R140M1HXTMA1-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 18A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Inventario:
1556 Pcs Nuevos Originales En Stock
12945947
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IMBG120R140M1HXTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolSiC™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
189mOhm @ 6A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5.7V @ 2.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13.4 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+18V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
491 pF @ 800 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7-12
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
IMBG120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP004463792
448-IMBG120R140M1HXTMA1TR
448-IMBG120R140M1HXTMA1CT
448-IMBG120R140M1HXTMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BSS126IXTSA1
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
STU60N55F3
MOSFET N-CH 55V 80A IPAK
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
