Número de Producto del Fabricante:
SIHG47N65E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHG47N65E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventario:
489 Pcs Nuevos Originales En Stock
12787065
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ENVIAR
SIHG47N65E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
47A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
72mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
273 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5682 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
417W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SIHG47
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
SIHG47N65E-GE3-DG
2266-SIHG47N65E-GE3
742-SIHG47N65E-GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCH070N60E
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
473
NÚMERO DE PIEZA
FCH070N60E-DG
PRECIO UNITARIO
5.38
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
APT47N60BC3G
FABRICANTE
Microchip Technology
CANTIDAD DISPONIBLE
2
NÚMERO DE PIEZA
APT47N60BC3G-DG
PRECIO UNITARIO
10.09
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPW65R080CFDAFKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
493
NÚMERO DE PIEZA
IPW65R080CFDAFKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
5.98
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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