Número de Producto del Fabricante:
IPW65R080CFDAFKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPW65R080CFDAFKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventario:
493 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801391
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IPW65R080CFDAFKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
43.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
80mOhm @ 17.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 1.76mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4440 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
391W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IPW65R080
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
SP000875806
2156-IPW65R080CFDAFKSA1
INFINFIPW65R080CFDAFKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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