SIHB15N65E-GE3

Número de Producto del Fabricante:

SIHB15N65E-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIHB15N65E-GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 15A TO263

Descripción Detallada:

N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

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12787511

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SIHB15N65E-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

650 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

15A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

280mOhm @ 8A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

96 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1640 pF @ 100 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

34W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-263 (D2PAK)

Paquete / Caja

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Número de producto base

SIHB15

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

SIHB15N65E-GE3-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

1,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

TK14G65W,RQ

FABRICANTE

Toshiba Semiconductor and Storage

CANTIDAD DISPONIBLE

3525

NÚMERO DE PIEZA

TK14G65W,RQ-DG

PRECIO UNITARIO

0.93

TIPO DE SUSTITUCIÓN

MFR Recommended

NÚMERO DE PARTE

STB25N80K5

FABRICANTE

STMicroelectronics

CANTIDAD DISPONIBLE

630

NÚMERO DE PIEZA

STB25N80K5-DG

PRECIO UNITARIO

2.75

TIPO DE SUSTITUCIÓN

MFR Recommended

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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