Número de Producto del Fabricante:
TK14G65W,RQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK14G65W,RQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
3525 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891492
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TK14G65W,RQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 690µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
TK14G65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
TK14G65W,RQ(S
TK14G65WRQTR
TK14G65WRQCT
TK14G65WRQDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BSS138W-7
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323
2SK2035(T5L,F,T)
MOSFET N-CH 20V 100MA SSM
TPH5R906NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
