SIA920DJ-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIA920DJ-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIA920DJ-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC70-6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 8V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Inventario:

12918630
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SIA920DJ-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A
rds activados (máx.) @ id, vgs
27mOhm @ 5.3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
700mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
470pF @ 4V
Potencia - Máx.
7.8W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número de producto base
SIA920

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
SIA910EDJ-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2096
NÚMERO DE PIEZA
SIA910EDJ-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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