SI7900AEDN-T1-E3
Número de Producto del Fabricante:

SI7900AEDN-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI7900AEDN-T1-E3-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

Inventario:

10760 Pcs Nuevos Originales En Stock
12918681
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ENVIAR

SI7900AEDN-T1-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potencia - Máx.
1.5W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8 Dual
Número de producto base
SI7900

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7900AEDN-T1-E3CT
SI7900AEDNT1E3
SI7900AEDN-T1-E3TR
SI7900AEDN-T1-E3DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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