SI7489DP-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SI7489DP-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI7489DP-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventario:

9409 Pcs Nuevos Originales En Stock
12913695
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SI7489DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
41mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4600 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5.2W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SI7489

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7489DP-T1-GE3DKR
SI7489DP-T1-GE3TR
SI7489DPT1GE3
SI7489DP-T1-GE3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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