Número de Producto del Fabricante:
SI4472DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4472DY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 7.7A (Tc) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12913698
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ENVIAR
SI4472DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
45mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1735 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4472
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4472DY-T1-GE3TR
SI4472DY-T1-GE3DKR
SI4472DY-T1-GE3CT
SI4472DYT1GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDS2572
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
19251
NÚMERO DE PIEZA
FDS2572-DG
PRECIO UNITARIO
0.63
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SI4488DY-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
8237
NÚMERO DE PIEZA
SI4488DY-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.87
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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