Número de Producto del Fabricante:
SI7104DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7104DN-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Descripción Detallada:
N-Channel 12 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventario:
12917051
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ENVIAR
SI7104DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.8V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2800 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8
Número de producto base
SI7104
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RQ1C065UNTR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
2855
NÚMERO DE PIEZA
RQ1C065UNTR-DG
PRECIO UNITARIO
0.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
RF4E110GNTR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
6586
NÚMERO DE PIEZA
RF4E110GNTR-DG
PRECIO UNITARIO
0.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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