Número de Producto del Fabricante:
SIHA100N60E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHA100N60E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventario:
912 Pcs Nuevos Originales En Stock
12917054
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIHA100N60E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1851 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220 Full Pack
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
SIHA100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
742-SIHA100N60E-GE3
SIHA100N60E-GE3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI5853CDC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
SIS888DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
SIS448DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8