SI5445BDC-T1-E3
Número de Producto del Fabricante:

SI5445BDC-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI5445BDC-T1-E3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
Descripción Detallada:
P-Channel 8 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™

Inventario:

12917712
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SI5445BDC-T1-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
33mOhm @ 5.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
1206-8 ChipFET™
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Número de producto base
SI5445

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI5445BDCT1E3
SI5445BDC-T1-E3DKR
SI5445BDC-T1-E3TR
SI5445BDC-T1-E3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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