Número de Producto del Fabricante:
SIHU3N50D-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHU3N50D-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 3A TO251
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventario:
12917728
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ENVIAR
SIHU3N50D-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
175 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251AA
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
SIHU3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Dibujos de productos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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